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4575130ES3D-E3/9AT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

ES3D-E3/9AT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES3D-E3/9AT
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES3D-E3/9AT.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    900mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    ES3D-E3/9ATGICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    53 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ES3D

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Das Folgende sind "ES3D-E3/9AT" -Einziper.
ES3D R7G

ES3D R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3CHR7G

ES3CHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DBHR5G

ES3DBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3D-13-F

ES3D-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3CHM6G

ES3CHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3D-13

ES3D-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3D-E3/57T

ES3D-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3D V7G

ES3D V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3D V6G

ES3D V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DB-13-F

ES3DB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3D-M3/9AT

ES3D-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3DB-13

ES3DB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3D/7T

ES3D/7T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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ES3DBHM4G

ES3DBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DHE3/57T

ES3DHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3D-M3/57T

ES3D-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3D

ES3D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ES3DB R5G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3D M6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3DB M4G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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