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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > GBL10-E3/45

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GBL10-E3/45-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

GBL10-E3/45

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Spezifikation

Artikelnummer

GBL10-E3/45
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.GBL10-E3/45.pdf
2.GBL10-E3/45.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)

1kV
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A
Technologie

Standard
Supplier Device-Gehäuse

GBL
Serie

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

4-SIP, GBL
Andere Namen

GBL10-E3/45-ND
GBL10-E3/45GI
GBL10E345
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

46 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Single Phase
detaillierte Beschreibung

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBL
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 1000V
Strom - Richt (Io)

3A

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Das Folgende sind "GBL10-E3/45" -Einziper.

GBL10-M3/45

GBL10-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL10HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL10-M3/51

GBL10-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL202HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL203 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL203HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL201HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL08HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL201 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL10 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL10-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL10

GBL10

Beschreibung: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBL08-G

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Hersteller: Comchip Technology

vorrätig

GBL202 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL08-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL08

GBL08

Beschreibung: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBL08-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL08-M3/45

GBL08-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL08 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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