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654412GL41T-E3/97-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

GL41T-E3/97

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GL41T-E3/97
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.GL41T-E3/97.pdf
    2.GL41T-E3/97.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1300V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-213AB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1300V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1300V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    GL41T

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GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41KHE3/97

GL41KHE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41KHE3/96

GL41KHE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41M/54

GL41M/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41M-E3/96

GL41M-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41THE3/97

GL41THE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL480

GL480

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GL41T-E3/96

GL41T-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
GL4800

GL4800

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GL41Y/1

GL41Y/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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GL453E00000F

GL453E00000F

Beschreibung: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Hersteller: Sharp Microelectronics
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GL41THE3/96

GL41THE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41K-E3/97

GL41K-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

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