IRF9Z20PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF9Z20PBF
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.IRF9Z20PBF.pdf
2.IRF9Z20PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 5.6A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

*IRF9Z20PBF
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 50V 9.7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.7A (Tc)

Das Folgende sind "IRF9Z20PBF" -Einziper.

IRF9Z20

Beschreibung: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB

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Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

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Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB

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Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB

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Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262

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Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB

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