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2910177IRFBG30-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBG30

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRFBG30
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.IRFBG30.pdf
    2.IRFBG30.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 1.9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    125W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    *IRFBG30
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    980pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1000V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.1A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFBG30" -Einziper.
IRFBF30SPBF

IRFBF30SPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFBF30STRL

IRFBF30STRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFC3006EB

IRFC3006EB

Beschreibung: MOSFET N-CH WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFC3107EB

IRFC3107EB

Beschreibung: MOSFET N-CH WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFBF30L

IRFBF30L

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFBG20L

IRFBG20L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFBL3703

IRFBL3703

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFC3004EB

IRFC3004EB

Beschreibung: MOSFET N-CH WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFBG20

IRFBG20

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFBF30STRR

IRFBF30STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFC3206EB

IRFC3206EB

Beschreibung: MOSFET N-CH WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFBL3315

IRFBL3315

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFC2604B

IRFC2604B

Beschreibung: MOSFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFC3205ZEB

IRFC3205ZEB

Beschreibung: MOSFET N-CH WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFC3306EB

IRFC3306EB

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IRFBF30STRLPBF

IRFBF30STRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

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IRFBG20PBF

IRFBG20PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

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IRFBF30S

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