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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > MUH1PBHM3/89A
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1125796MUH1PBHM3/89A-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

MUH1PBHM3/89A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MUH1PBHM3/89A
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MUH1PBHM3/89A.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.05V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    MicroSMP
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, eSMP®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    40ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    MicroSMP
  • Andere Namen
    MUH1PBHM3/89A-ND
    MUH1PBHM3/89AGITR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount MicroSMP
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "MUH1PBHM3/89A" -Einziper.
MUH1PCHM3/89A

MUH1PCHM3/89A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A MICROSMP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MUH1PB-M3/89A

MUH1PB-M3/89A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MUH1PDHM3/89A

MUH1PDHM3/89A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SK110B R5G

SK110B R5G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SJPL-L2VR

SJPL-L2VR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SJP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
MUH1PD-M3/89A

MUH1PD-M3/89A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SKL13BHR5G

SKL13BHR5G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-30BQ100TRPBF

VS-30BQ100TRPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SJPL-L4VR

SJPL-L4VR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SJP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
MA2711100L

MA2711100L

Beschreibung: DIODE GEN 80V 100MA SSSMINI2

Hersteller: Panasonic Electronic Components
vorrätig
RFQ
ES2F-E3/5BT

ES2F-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SB380E-G

SB380E-G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
UH8JT-E3/45

UH8JT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
CRG01(TE85L,Q,M)

CRG01(TE85L,Q,M)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 700MA SFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RA203220XX

RA203220XX

Beschreibung: DIODE MODULE 3.2KV 2000A PWRDISC

Hersteller: Powerex Inc.
vorrätig
RFQ
MUH1PC-M3/89A

MUH1PC-M3/89A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A MICROSMP

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
A177RN

A177RN

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
HFA08TB60

HFA08TB60

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SFF1005G C0G

SFF1005G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 10A ITO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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