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4497057RS2GHE3_A/H-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

RS2GHE3_A/H

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS2GHE3_A/H
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS2GHE3_A/H.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    RS2GHE3_A/H-ND
    RS2GHE3_A/HGITR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    35 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz

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RS2GA-13

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
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RS2J-M3/52T

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Beschreibung: DIODE SW 1.5A 600V 250NS DO214AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RS2GA R3G

RS2GA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2J-E3/5BT

RS2J-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2J M4G

RS2J M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2G/1

RS2G/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2J R5G

RS2J R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2GA M2G

RS2GA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2GHE3/52T

RS2GHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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RS2GHE3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2J-13-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2J-E3/52T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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RS2JA M2G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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RS2G-M3/5BT

RS2G-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS2GA-13-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA

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RS2GAHM2G

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RS2GHE3/5BT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

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RS2J-13

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RS2J-M3/5BT

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