Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS3BHE3/9AT
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1060550RS3BHE3/9AT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

RS3BHE3/9AT

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3BHE3/9AT
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS3BHE3/9AT.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 2.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    44pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RS3B

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RS3BHE3/9AT" -Einziper.
RS3BB-13-F

RS3BB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3BHM6G

RS3BHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3B-E3/9AT

RS3B-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3D M6G

RS3D M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3BHE3_A/H

RS3BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3BHR7G

RS3BHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3B-M3/9AT

RS3B-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3D R7G

RS3D R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3B V7G

RS3B V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3BHE3/57T

RS3BHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3D V7G

RS3D V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3B-M3/57T

RS3B-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3BB-13

RS3BB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3B-13-F

RS3B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3B-E3/57T

RS3B-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3B-13

RS3B-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3BHE3_A/I

RS3BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3D-13

RS3D-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3D-13-F

RS3D-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.