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6196432S4PJHM3_A/I-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

S4PJHM3_A/I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S4PJHM3_A/I
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-277A (SMPC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, eSMP®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    44 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 4A Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
  • Kapazität @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
S4PGHM3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S4PKHM3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S4PKHM3/87A

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S4PM-M3/86A

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A

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S4PMHM3/86A

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A

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S4PJ-M3/86A

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S4PGHM3_A/H

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S4PK-M3/87A

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S4PGHM3/86A

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S4PJHM3_A/H

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S4PK-M3/86A

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S4PJHM3/87A

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S4PKHM3_A/H

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S4PJ-M3/87A

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S4PM-M3/87A

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S4PGHM3/87A

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S4PKHM3/86A

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