SI1021R-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1021R-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1021R-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-75A
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

250mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-75A
Andere Namen

SI1021R-T1-GE3TR
SI1021RT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 15V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

190mA (Ta)

Das Folgende sind "SI1021R-T1-GE3" -Einziper.

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Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

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