SI1024X-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1024X-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1024X-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-6
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Leistung - max

250mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SI1024X-T1-GE3TR
SI1024XT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 485mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

485mA
Basisteilenummer

SI1024

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

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Beschreibung: KIT SOFTWARE DEV SI1024 868MHZ

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