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1954840SI1051X-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1051X-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI1051X-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-89-6
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    236mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    SI1051X-T1-GE3TR
    SI1051XT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    560pF @ 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.45nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    8V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 8V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -
SI1046R-T1-E3

SI1046R-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1058X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V SC89

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1056X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1060-A-GM

SI1060-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1046X-T1-GE3

SI1046X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1039X-T1-GE3

SI1039X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1039X-T1-E3

SI1039X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1054X-T1-GE3

SI1054X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1046R-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1061-A-GM

SI1061-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1051X-T1-E3

SI1051X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1061-A-GMR

SI1061-A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1054X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1040X-T1-GE3

SI1040X-T1-GE3

Beschreibung: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1040X-T1-E3

SI1040X-T1-E3

Beschreibung: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1060-A-GMR

SI1060-A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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