SI3454ADV-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3454ADV-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3454ADV-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.14W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3454ADV-T1-E3TR
SI3454ADVT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 3.4A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.4A (Ta)

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Beschreibung: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Beschreibung: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP

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