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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI3457BDV-T1-GE3
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3449058SI3457BDV-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3457BDV-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI3457BDV-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    54 mOhm @ 5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.14W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.7A (Ta)
SI3456BDV-T1-E3

SI3456BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3455ADV-T1-E3

SI3455ADV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3457BDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3458BDV-T1-E3

SI3458BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3456DDV-T1-E3

SI3456DDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3457CDV-T1-E3

SI3457CDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3458DV-T1-E3

SI3458DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3459-B02-IM

SI3459-B02-IM

Beschreibung: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3459-KIT

SI3459-KIT

Beschreibung: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3454CDV-T1-GE3

SI3454CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3456CDV-T1-E3

SI3456CDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3456BDV-T1-GE3

SI3456BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3457DV

SI3457DV

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SI3459-B02-IMR

SI3459-B02-IMR

Beschreibung: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3456CDV-T1-GE3

SI3456CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3455ADV-T1-GE3

SI3455ADV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP

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