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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI3459BDV-T1-GE3

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SI3459BDV-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3459BDV-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3459BDV-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3459BDV-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

216 mOhm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 3.3W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3459BDV-T1-GE3TR
SI3459BDVT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.9A (Tc)

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SI3457CDV-T1-E3

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SI3458BDV-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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