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419796SI3493BDV-T1-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3493BDV-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI3493BDV-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Andere Namen
    SI3493BDV-T1-E3TR
    SI3493BDVT1E3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1805pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43.5nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)
SI3483-A02-GM

SI3483-A02-GM

Beschreibung: IC POE PSE 64PORT 24QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3483DV-T1-E3

SI3483DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3483-A02-GMR

SI3483-A02-GMR

Beschreibung: IC POE PSE 64PORT 24QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3482-A01-GM

SI3482-A01-GM

Beschreibung: IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3482-A01-GMR

SI3482-A01-GMR

Beschreibung: IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3493BDV-T1-GE3

SI3493BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3483CDV-T1-GE3

SI3483CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3495DV-T1-E3

SI3495DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3499DV-T1-E3

SI3499DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3484-A01-GMR

SI3484-A01-GMR

Beschreibung: POWER MANAGEMENT IC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3483CDV-T1-E3

SI3483CDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3493DV-T1-E3

SI3493DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3500-A-GM

SI3500-A-GM

Beschreibung: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3495DV-T1-GE3

SI3495DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3483DV-T1-GE3

SI3483DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3484-A01-GM

SI3484-A01-GM

Beschreibung: PSE POWER MANAGEMENT IC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3500-A-GMR

SI3500-A-GMR

Beschreibung: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

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SI3493DV-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

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