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SI4160DY-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4160DY-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4160DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.9 mOhm @ 15A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4160DY-T1-GE3-ND
    SI4160DY-T1-GE3TR
    SI4160DYT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    27 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2071pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 25.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    25.4A (Tc)

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SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4136-F-GT

SI4136-F-GT

Beschreibung: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4136-F-GMR

SI4136-F-GMR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4136-F-GTR

SI4136-F-GTR

Beschreibung: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI4136-F-GM

SI4136-F-GM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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