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SI4421DY-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4421DY-T1-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4421DY-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 850µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.75 mOhm @ 14A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.5W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4421DY-T1-E3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    125nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta)

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SI4426DY-T1-E3

SI4426DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4420DYTRPBF

SI4420DYTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4421-A1-FTR

SI4421-A1-FTR

Beschreibung: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4421-A1-FT

SI4421-A1-FT

Beschreibung: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4420DYTR

SI4420DYTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4421-A0-FT

SI4421-A0-FT

Beschreibung: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI4420DY,518

SI4420DY,518

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4421-A0-FTR

SI4421-A0-FTR

Beschreibung: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4425BDY-T1-GE3

SI4425BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4420DY

SI4420DY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4420DYPBF

SI4420DYPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4420DY

SI4420DY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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SI4426DY-T1-GE3

SI4426DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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