Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI4464DY-T1-E3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4789483

SI4464DY-T1-E3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2500+
$0.535
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4464DY-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4464DY-T1-E3TR
    SI4464DYT1E3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 200V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.7A (Ta)
SI4464-B1B-FMR

SI4464-B1B-FMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4463-B1B-FM

SI4463-B1B-FM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4464-B1X-FM

SI4464-B1X-FM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4463-C2A-GM

SI4463-C2A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4463-B1B-FMR

SI4463-B1B-FMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden