SI4480DY-T1-E3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI4480DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4480DY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4480DY-T1-E3CT
SI4480DYT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

Das Folgende sind "SI4480DY-T1-E3" -Einziper.

SI4468-A2A-IM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI4483EDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4487DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4468-A2A-IMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI4472DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4484EY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4466DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4486EY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4488DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4470EY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4486EY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4467-A2A-IMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI4485DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4472DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4477DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4470EY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4483ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4483EDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4467-A2A-IM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI4484EY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

SI4480DY-T1-E3

Online-Anfrage

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

SI4468-A2A-IM

SI4483EDY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

SI4468-A2A-IMR

SI4472DY-T1-E3

SI4484EY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

SI4488DY-T1-E3

SI4470EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-E3

SI4467-A2A-IMR

SI4485DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3

SI4470EY-T1-E3

SI4483ADY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-E3

SI4467-A2A-IM

SI4484EY-T1-E3

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache