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SI4966DY-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4966DY-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4966DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -
  • Basisteilenummer
    SI4966

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Das Folgende sind "SI4966DY-T1-GE3" -Einziper.
SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4992EY-T1-GE3

SI4992EY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4972DY-T1-GE3

SI4972DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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