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3842564SI5441BDC-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5441BDC-T1-GE3

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  • Artikelnummer
    SI5441BDC-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    1206-8 ChipFET™
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.3W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Flat Lead
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 4.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.4A (Ta)
SI5443DC-T1-E3

SI5443DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5441DC-T1-GE3

SI5441DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5424DC-T1-E3

SI5424DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5447DC-T1-E3

SI5447DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5445BDC-T1-GE3

SI5445BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5447DC-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5445BDC-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5424DC-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5443DC-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5433BDC-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5440DC-T1-GE3

SI5440DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5432DC-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5429DU-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5442DU-T1-GE3

SI5442DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5435BDC-T1-GE3

SI5435BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5435BDC-T1-E3

SI5435BDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5441DC-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

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SI5433BDC-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

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SI5446DU-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A CHIPFET

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