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SI5458DU-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI5458DU-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Andere Namen
    SI5458DU-T1-GE3TR
    SI5458DUT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    27 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    325pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 6A (Tc) 3.5W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A (Tc)
SI5461EDC-T1-E3

SI5461EDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5473DC-T1-E3

SI5473DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5463EDC-T1-E3

SI5463EDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5456DU-T1-GE3

SI5456DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5446DU-T1-GE3

SI5446DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5459DU-T1-GE3

SI5459DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5449DC-T1-GE3

SI5449DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5445BDC-T1-E3

SI5445BDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5447DC-T1-GE3

SI5447DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5449DC-T1-E3

SI5449DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5463EDC-T1-GE3

SI5463EDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5448DU-T1-GE3

SI5448DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 25A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5457DC-T1-GE3

SI5457DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI5473DC-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5468DC-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

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SI5475BDC-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

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Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

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