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6319958SI7172DP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7172DP-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI7172DP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI7172DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 5.9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    5.4W (Ta), 96W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SI7172DP-T1-GE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2250pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 200V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    25A (Tc)

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Das Folgende sind "SI7172DP-T1-GE3" -Einziper.
SI7192DP-T1-GE3

SI7192DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7190DP-T1-GE3

SI7190DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7174DP-T1-GE3

SI7174DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7156DP-T1-GE3

SI7156DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7159DP-T1-GE3

SI7159DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7156DP-T1-E3

SI7156DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7155DP-T1-GE3

SI7155DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8

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vorrätig
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SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

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vorrätig
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SI7160DP-T1-E3

SI7160DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

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vorrätig
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SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7190ADP-T1-RE3

SI7190ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7170DP-T1-GE3

SI7170DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7196DP-T1-E3

SI7196DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7172ADP-T1-RE3

SI7172ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7194DP-T1-GE3

SI7194DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7160DP-T1-GE3

SI7160DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7186DP-T1-GE3

SI7186DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

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vorrätig
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SI7186DP-T1-E3

SI7186DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7164DP-T1-GE3

SI7164DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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