SI7232DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7232DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7232DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.4 mOhm @ 10A, 4.5V
Leistung - max

23W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8 Dual
Andere Namen

SI7232DN-T1-GE3TR
SI7232DNT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1220pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 8V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 25A 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A
Basisteilenummer

SI7232

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