SI7315DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7315DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7315DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

315 mOhm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Andere Namen

SI7315DN-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 150V 8.9A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.9A (Tc)

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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