Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI7430DP-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

1214483

SI7430DP-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7430DP-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

1+

$3.27

10+

$2.955

100+

$2.375

500+

$1.847

1000+

$1.53

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI7430DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7430DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

5.2W (Ta), 64W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SI7430DP-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

26A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SI7430DP-T1-GE3" -Einziper.

SI7421DN-T1-GE3

SI7421DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7421DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7434DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7431DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7423DN-T1-GE3

SI7423DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7439DP-T1-GE3

SI7439DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7423DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7439DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7440DP-T1-GE3

SI7440DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7415DN-T1-GE3

SI7415DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7445DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7431DP-T1-GE3

SI7431DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7440DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7430DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7434DP-T1-GE3

SI7434DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7414DN-T1-GE3

SI7414DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7425DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7425DN-T1-GE3

SI7425DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7415DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7434ADP-T1-RE3

SI7434ADP-T1-RE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.