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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI7635DP-T1-GE3

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SI7635DP-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7635DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7635DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7635DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max)

5W (Ta), 54W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SI7635DP-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4595pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 40A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Tc)

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Das Folgende sind "SI7635DP-T1-GE3" -Einziper.

SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7636DP-T1-GE3

SI7636DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7636DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7661CSA+

SI7661CSA+

Beschreibung: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Hersteller: Maxim Integrated

vorrätig

SI7661DJ

SI7661DJ

Beschreibung: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Hersteller: Maxim Integrated

vorrätig

SI7661CJ+

SI7661CJ+

Beschreibung: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Hersteller: Maxim Integrated

vorrätig

SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7661CSA+T

SI7661CSA+T

Beschreibung: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Hersteller: Maxim Integrated

vorrätig

SI7661ESA+

SI7661ESA+

Beschreibung: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Hersteller: Maxim Integrated

vorrätig

SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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