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2395250SI8439DB-T1-E1-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8439DB-T1-E1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI8439DB-T1-E1
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI8439DB-T1-E1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-Microfoot
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    4-UFBGA
  • Andere Namen
    SI8439DB-T1-E1DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    8V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 8V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8431BB-D-ISR

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SI8440-B-IS

SI8440-B-IS

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8440-A-IS

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Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8435DB-T1-E1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP

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SI8431BB-D-IS1R

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Beschreibung: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

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Beschreibung: DGTL ISO 1KV 4CH GEN PURP 16SOIC

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