SI8816EDB-T2-E1

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8816EDB-T2-E1
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8816EDB-T2-E1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-Microfoot
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

109 mOhm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

4-XFBGA
Andere Namen

SI8816EDB-T2-E1DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

46 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

Das Folgende sind "SI8816EDB-T2-E1" -Einziper.

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