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5580016SI8823EDB-T2-E1-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8823EDB-T2-E1

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  • Artikelnummer
    SI8823EDB-T2-E1
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI8823EDB-T2-E1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
  • Serie
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    95 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    900mW (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    4-XFBGA
  • Andere Namen
    SI8823EDB-T2-E1TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    46 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    580pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.7A (Tc)

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