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5687119SIA429DJT-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA429DJT-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIA429DJT-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIA429DJT-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20.5 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SC-70-6
  • Andere Namen
    SIA429DJT-T1-GE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1750pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 8V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12A (Tc)

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Das Folgende sind "SIA429DJT-T1-GE3" -Einziper.
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

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SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIA427ADJ-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

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vorrätig
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SIA433EDJ-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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