Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SIHB12N60E-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

1004282

SIHB12N60E-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB12N60E-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

1+

$2.39

10+

$2.157

100+

$1.734

500+

$1.348

1000+

$1.117

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SIHB12N60E-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHB12N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

147W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SIHB12N60EGE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

937pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SIHB12N60E-GE3" -Einziper.

SIHA4N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHA2N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHA6N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB12N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Hersteller: Vishay Siliconix

vorrätig

SIHB15N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB20N50E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB12N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB18N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB10N40D-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB12N50C-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB12N50E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHA25N50E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHA25N60EFL-E3

SIHA25N60EFL-E3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB16N50C-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB15N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHA6N65E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHB15N50E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.