SIJ470DP-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.757

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SIJ470DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIJ470DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

5W (Ta), 56.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIJ470DP-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 58.8A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

58.8A (Tc)

Das Folgende sind "SIJ470DP-T1-GE3" -Einziper.

SIJA54DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

APT12F60K

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

SIJ458DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJH440E-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJ800DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4842BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJ494DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJ400DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJ484DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJ482DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

IRF9317PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 16A 8-SO

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IRF9540NSTRR

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SIJ420DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJ478DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJA52DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJA58DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJ462DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SIJA72ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

FDS6679AZ

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SIJ438DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

SIJ470DP-T1-GE3

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

SIJA54DP-T1-GE3

APT12F60K

SIJ458DP-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

IRF9317PBF

IRF9540NSTRR

SIJ420DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

FDS6679AZ

SIJ438DP-T1-GE3

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache