Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SIR404DP-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

4620367

SIR404DP-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR404DP-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$1.009

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SIR404DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIR404DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

6.25W (Ta), 104W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIR404DP-T1-GE3TR
SIR404DPT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

27 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8130pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SIR404DP-T1-GE3" -Einziper.

SIR333-A

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR383C

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

SIR323-5

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

SIR383

Beschreibung: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Hersteller: Everlight Electronics

vorrätig

SIR2B20A4

SIR2B20A4

Beschreibung: SOLID STATE RELAY-ISOLATED

Hersteller: Hamlin / Littelfuse

vorrätig

SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIR2B20B4

Beschreibung: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V

Hersteller: Hamlin / Littelfuse

vorrätig

SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.