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6452773SIR468DP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR468DP-T1-GE3

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  • Artikelnummer
    SIR468DP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIR468DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    5W (Ta), 50W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SIR468DP-T1-GE3TR
    SIR468DPT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1720pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    40A (Tc)

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SIR432DP-T1-GE3

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SIR466DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SIR470DP-T1-GE3

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SIR492DP-T1-GE3

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SIR424DP-T1-GE3

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SIR436DP-T1-GE3

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SIR460DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SIR472ADP-T1-GE3

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SIR426DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

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SIR494DP-T1-GE3

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SIR474DP-T1-GE3

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SIR440DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

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SIR472DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

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SIR476DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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SIR474DP-T1-RE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

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