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776794SIS435DNT-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS435DNT-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIS435DNT-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    3.7W (Ta), 39W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8
  • Andere Namen
    SIS435DNT-T1-GE3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5700pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    180nC @ 8V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    30A (Tc)
SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS444DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIS436DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

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