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2783735SISB46DN-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISB46DN-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SISB46DN-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.71 mOhm @ 5A, 10V
  • Leistung - max
    23W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Andere Namen
    SISB46DN-T1-GE3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    34A (Tc)
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Beschreibung: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Beschreibung: SMALL SIGNAL+P-CH

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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