SISS28DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SISS28DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SISS28DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.52 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

57W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8S
Andere Namen

SISS28DN-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3640pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

Das Folgende sind "SISS28DN-T1-GE3" -Einziper.

SISS71DN-T1-GE3

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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