SISS71DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SISS71DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SISS71DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Serie

ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

57W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

SISS71DN-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 100V 23A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Tc)

Das Folgende sind "SISS71DN-T1-GE3" -Einziper.

SISS28DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SISS27DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SISS26DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SISS72DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SISS67DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CH 125V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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SISS10DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SISS12DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SISS65DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SISS40DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SISS42DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SISS27ADN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

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