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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQA442EJ-T1_GE3

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SQA442EJ-T1_GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQA442EJ-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQA442EJ-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQA442EJ-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

13.6W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen

SQA442EJ-T1_GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

636pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 9A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Tc)

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Das Folgende sind "SQA442EJ-T1_GE3" -Einziper.

SQA470EJ-T1_GE3

SQA470EJ-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.25A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RTL035N03FRATR

Beschreibung: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SQA410EJ-T1_GE3

SQA410EJ-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

FDP8440

FDP8440

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SQA401EJ-T1_GE3

SQA401EJ-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQA470EEJ-T1_GE3

SQA470EEJ-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SPB100N06S2L-05

SPB100N06S2L-05

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SQA405EJ-T1_GE3

SQA405EJ-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

TSM4NB65CP ROG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

NVMFS5C670NLWFAFT1G

NVMFS5C670NLWFAFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A 71A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SQA401EEJ-T1_GE3

SQA401EEJ-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRF3704ZSTRRPBF

IRF3704ZSTRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SQA403EJ-T1_GE3

SQA403EJ-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

STP90N6F6

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

SQA000002

Beschreibung: OSC XO 100.000MHZ HCSL SMD

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

SQA000001

Beschreibung: OSCILLATOR XO 100MHZ HCSL SMD

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

BUK6D23-40EX

Beschreibung: BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220

Hersteller: Nexperia

vorrätig

3N163

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRFD420

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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