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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQD45P03-12_GE3

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SQD45P03-12_GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD45P03-12_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQD45P03-12_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQD45P03-12_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

71W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SQD45P03-12_GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3495pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "SQD45P03-12_GE3" -Einziper.

SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40081EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40N06-14L_GE3

SQD40N06-14L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40030E_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40061EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40N06-25L-GE3

SQD40N06-25L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40031EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD40131EL_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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