SQS482EN-T1_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQS482EN-T1_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQS482EN-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 16.4A, 10V
Verlustleistung (max)

62W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Andere Namen

SQS482EN-T1-GE3
SQS482EN-T1-GE3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1865pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 16A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Tc)

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