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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SUB75P03-07-E3

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SUB75P03-07-E3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SUB75P03-07-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUB75P03-07-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUB75P03-07-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (D2Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

3.75W (Ta), 187W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SUB75P03-07-E3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

75A (Tc)

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Das Folgende sind "SUB75P03-07-E3" -Einziper.

SUB10693R

Beschreibung: POWER SUPPLY CODING KEY

Hersteller: Birtcher / Pentair

vorrätig

SUB-GRF1-04-S

SUB-GRF1-04-S

Beschreibung: RF CABLE JACK

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

DMP2123LQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

SUB16396

SUB16396

Beschreibung: ACCY SUB MISC SHOCK SPRING

Hersteller: Laird Technologies - Antennas

vorrätig

DMP213DUFA-7B

DMP213DUFA-7B

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 0.145A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

SPP02N80C3XKSA1

SPP02N80C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

AO4482L_102

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

JANTXV2N7228

JANTXV2N7228

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Microsemi

vorrätig

IXFK32N80Q3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 32A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

SIHP28N65E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRFR1010ZPBF

IRFR1010ZPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Hersteller: Infineon Technologies

vorrätig

STS17NH3LL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

IRFHM831TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

DMN3009SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

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GP2M005A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

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RS1G260MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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BFL4001-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 4.1A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SUBARCTICBDEVZCZ

SUBARCTICBDEVZCZ

Beschreibung: EVAL BOARD FOR SUBARCTIC

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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JANTXV2N6898

JANTXV2N6898

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

Hersteller: Microsemi

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SUBF2030

Beschreibung: EXTERNAL BATTERY FRAME SELECT

Hersteller: Tripp Lite

vorrätig

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