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2544940SUV85N10-10-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUV85N10-10-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SUV85N10-10-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.SUV85N10-10-E3.pdf
    2.SUV85N10-10-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.75W (Ta), 250W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6550pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    85A (Tc)

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Zahlung
Das Folgende sind "SUV85N10-10-E3" -Einziper.
IPP086N10N3GXKSA1

IPP086N10N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFP450

IRFP450

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ZXM64P03XTA

ZXM64P03XTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TSM60N380CP ROG

TSM60N380CP ROG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IXTH02N250

IXTH02N250

Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
STP65NF06

STP65NF06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
AOT2608L

AOT2608L

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A TO220

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RTF015P02TL

RTF015P02TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQB55N06TM

FQB55N06TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SI3805DV-T1-E3

SI3805DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BSP300 E6327

BSP300 E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
JANTXV2N7224U

JANTXV2N7224U

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 34A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IPD025N06NATMA1

IPD025N06NATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
MCH6336-P-TL-E

MCH6336-P-TL-E

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AO4430

AO4430

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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