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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > U2C-E3/52T
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6321402U2C-E3/52T-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

U2C-E3/52T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    U2C-E3/52T
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    900mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    150V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    27ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 150V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 150V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
SRP300C-E3/54

SRP300C-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SF28GTA

SF28GTA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
UF1BHR0G

UF1BHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SBM1040-13-F

SBM1040-13-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 10A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BYG24JHM3/TR3

BYG24JHM3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1187RA

VS-1N1187RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
MBRF1045-E3/45

MBRF1045-E3/45

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 10A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1G-LTP

S1G-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N5822RL

1N5822RL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SS34LHE-TP

SS34LHE-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD123HE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
10ETF12FP

10ETF12FP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
HS24230

HS24230

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 240A HALFPAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
U2C-E3/5BT

U2C-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
D921S45TXPSA1

D921S45TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
STPS0530Z

STPS0530Z

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
UF1AHR1G

UF1AHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SR308-TP

SR308-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
MBRD340T4

MBRD340T4

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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