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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > UHB10FT-E3/8W
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4985031UHB10FT-E3/8W-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

UHB10FT-E3/8W

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UHB10FT-E3/8W
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    300V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 300V 10A Surface Mount D2PAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 300V
  • Strom - Richt (Io)
    10A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
SK42BL-TP

SK42BL-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 4A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
AP01CV

AP01CV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 200MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
S5K V7G

S5K V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SRAF560HC0G

SRAF560HC0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 5A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SMAJ5817E3/TR13

SMAJ5817E3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMAJ

Hersteller: Microsemi
vorrätig
R9G20815ASOO

R9G20815ASOO

Beschreibung: DIODE GP 800V 1500A DO200AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
1N5406-B

1N5406-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
UHB20FCT-E3/8W

UHB20FCT-E3/8W

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S16DR

S16DR

Beschreibung: DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
UHB10FT-E3/4W

UHB10FT-E3/4W

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYT54K-TAP

BYT54K-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.25A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES2AA M2G

ES2AA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SCS108AGC

SCS108AGC

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220AC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UHB20FCT-E3/4W

UHB20FCT-E3/4W

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 10A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MR750RL

MR750RL

Beschreibung: DIODE GP 50V 6A MICRODE BUTTON

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
PMEG1201AESFYL

PMEG1201AESFYL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962

Hersteller: Nexperia
vorrätig
VS-8ETU04SPBF

VS-8ETU04SPBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
B3100CE-13

B3100CE-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
LSM160G/TR13

LSM160G/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMBG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MUR460 B0G

MUR460 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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