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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > VS-1N1188
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6840462VS-1N1188-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

VS-1N1188

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    VS-1N1188
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 110A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-203AB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Andere Namen
    *1N1188
    1N1188
    1N1188-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 190°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 35A Chassis, Stud Mount DO-203AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10mA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    35A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N1188
VS-1N1190R

VS-1N1190R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-1N1186

VS-1N1186

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-1N1187R

VS-1N1187R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 35A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1189RA

VS-1N1189RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 40A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1189

VS-1N1189

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1189R

VS-1N1189R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1187

VS-1N1187

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 35A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1190

VS-1N1190

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-1N1190A

VS-1N1190A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-1N1185R

VS-1N1185R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 35A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1189A

VS-1N1189A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 40A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1187A

VS-1N1187A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-1N1186RA

VS-1N1186RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-1N1187RA

VS-1N1187RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1185A

VS-1N1185A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1188RA

VS-1N1188RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-1N1188A

VS-1N1188A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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VS-1N1186R

VS-1N1186R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-1N1186A

VS-1N1186A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

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