Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > VS-8EWS12STR-M3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5069819VS-8EWS12STR-M3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

VS-8EWS12STR-M3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2000+
$1.362
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    VS-8EWS12STR-M3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    VS-8EWS12STR-M3.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-PAK (TO-252AA)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    VS8EWS12STRM3
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "VS-8EWS12STR-M3" -Einziper.
VS-8EWS12STRR-M3

VS-8EWS12STRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS10STRR-M3

VS-8EWS10STRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS16SLHM3

VS-8EWS16SLHM3

Beschreibung: DIODES - D-PAK-E3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS12STRRPBF

VS-8EWS12STRRPBF

Beschreibung: DIODE RECTIFIER 1200V 8A DPAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
VS-8EWS10SPBF

VS-8EWS10SPBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
VS-8EWS16S-M3

VS-8EWS16S-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS12STRL-M3

VS-8EWS12STRL-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS12SPBF

VS-8EWS12SPBF

Beschreibung: DIODE RECTIFIER 1200V 8A DPAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
VS-8EWS10STRRPBF

VS-8EWS10STRRPBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS12SLHM3

VS-8EWS12SLHM3

Beschreibung: DIODES - D-PAK-E3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS16SPBF

VS-8EWS16SPBF

Beschreibung: DIODE RECTIFIER 1600V 8A DPAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
VS-8EWS10STR-M3

VS-8EWS10STR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS16STR-M3

VS-8EWS16STR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS10STRLPBF

VS-8EWS10STRLPBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS16STRL-M3

VS-8EWS16STRL-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS10STRPBF

VS-8EWS10STRPBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS12STRPBF

VS-8EWS12STRPBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS12S-M3

VS-8EWS12S-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8EWS12STRLPBF

VS-8EWS12STRLPBF

Beschreibung: DIODE RECTIFIER 1200V 8A DPAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
VS-8EWS10STRL-M3

VS-8EWS10STRL-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.