SI8275GBD-IS1R

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2500+

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8275GBD-IS1R
Hersteller / Marke

Energy Micro (Silicon Labs)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8275GBD-IS1R.pdf
ECAD -Modell
Spannungsversorgung

4.2 V ~ 30 V
Spannung - Isolation

2500Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-
Technologie

Capacitive Coupling
Supplier Device-Gehäuse

16-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

10.5ns, 13.3ns
Pulsbreite Verzerrung (Max)

8ns
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)

75ns, 75ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

336-5557-2
SI8275GBD-IS1R-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C
Anzahl der Kanäle

2
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2A (4 Weeks)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC
Strom - Spitzenausgang

4A
Strom - hoch, niedrig

1.8A, 4A
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)

200kV/µs
Zulassungen

CQC, CSA, UR, VDE

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Das Folgende sind "SI8275GBD-IS1R" -Einziper.

SI8281BC-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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